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      1. LED恒流把持基于TRUEC2技巧

        時(shí)間:2012-12-23  來(lái)源:武漢網(wǎng)whw.cc  作者:whw.cc 我要糾錯(cuò)


        摘要文章具體先容了基于TRUEC2技術(shù)非隔離BUCK拓?fù)、源極驅(qū)動(dòng)MOSFET,led驅(qū)動(dòng),來(lái)實(shí)現(xiàn)極高精度LED恒流控制。實(shí)驗(yàn)證實(shí),全閉環(huán)TRUEC2技術(shù)實(shí)時(shí)檢測(cè)實(shí)在輸出電流,免受輸入電壓、外部電感影響,沖破性地提高了LED輸出電流地精度。同時(shí),對(duì)照開環(huán)計(jì)劃,牢靠性一樣有了明顯進(jìn)步。

         

        1 引言

         

        針對(duì)于LED照明負(fù)載特色,現(xiàn)在非隔離式地恒流驅(qū)動(dòng)電源地拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上是BUCK降壓結(jié)構(gòu),主流地方案是通過(guò)固定關(guān)斷時(shí)間來(lái)固定峰值電流,從而到達(dá)固定輸出電流地控制策略。本文將探討這種控制策略實(shí)現(xiàn)恒流地原理,判辨這種開環(huán)控制策略地優(yōu)毛病,和利用這種控制策略須要做地外圍補(bǔ)償,同時(shí)基于占空比半導(dǎo)體企業(yè)新產(chǎn)品DU8608芯片,介紹這種全新地閉環(huán)電流控制策略,詳細(xì)介紹這種控制策略如何打破性提高LED輸出電流精度,從開環(huán)到閉環(huán)是這個(gè)實(shí)質(zhì)地突破,LED電源驅(qū)動(dòng)。

        2技術(shù)地LED恒流控制(電子工程專輯)" src="/collection/20120815102631796.jpg">圖2:開環(huán)控制策略中地電感電流波形

        所以,這種開環(huán)地控制策略是,銜接在Rt地電阻設(shè)定MOSFET地關(guān)斷時(shí)間。每個(gè)周期開端,MOSFET 打開直到電感電流回升到峰值Vref/Rs,這時(shí)MOSFET 關(guān)斷,關(guān)斷時(shí)間由Rt決議。過(guò)了設(shè)定地關(guān)斷時(shí)間,MOSFET 又從新翻開,這樣周而復(fù)始地工作。關(guān)斷時(shí)間控制了紋波電流LED 均勻電流,根據(jù)想要輸出地電流值,調(diào)節(jié)CS管腳地Rs值,調(diào)節(jié)Rt值,固定每個(gè)開關(guān)周期地關(guān)斷時(shí)間為1個(gè)值,從而實(shí)現(xiàn)了輸出電流恒流。

         

        這是1種簡(jiǎn)略有效地控制策略,但是因?yàn)檫@是1種開環(huán)控制模式,只能檢測(cè)電感上地峰值電流,無(wú)奈檢測(cè)輸出電流,輸出電流精度在3種情形下輕易呈現(xiàn)偏差

        1. 輸入電壓穩(wěn)定。(開環(huán)控制,無(wú)法反饋,LED電源,體系延時(shí)造成)

        2. 批量出產(chǎn)電感感值偏差。(式4中,L變更引起Io變化)

        3. LED負(fù)載電壓不雷同(Vo)

         

        對(duì)于于第1種偏差,只能采用電壓彌補(bǔ)地措施,即檢測(cè)輸入電壓,依據(jù)輸入電壓調(diào)劑內(nèi)部CS參考電平值,然而后果個(gè)別,對(duì)第2種和第3種偏差,比擬難解決。

         

        1種全新地全閉環(huán)控制策略能夠完整防止上述多少種偏差,從基本上實(shí)現(xiàn)真正地LED恒流。

            

         

        2 原理與設(shè)計(jì)

         

        2.1 現(xiàn)在LED非隔離恒流驅(qū)動(dòng)電流范疇主流地控制策略

         

        像圖1所示,電路是BUCK降壓構(gòu)造,芯片掌握地是MOSFET地源極,這是1種開環(huán)地恒流電流節(jié)制方法,led驅(qū)動(dòng)芯片,把持原理像下

         

        當(dāng)MOSFET開明時(shí),電流從DCBUS通過(guò)LED負(fù)載,流過(guò)電感,流入地。

         

        Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

         

        當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),電感電流從D1續(xù)流。得出以下公式

         

        Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

         

        類似圖2 ,Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

         

        由(2)跟(3)

         

        Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

         

        Vref和Rcs都是設(shè)定地定值,因?yàn)殡娏髁鬟^(guò)LED負(fù)載,假如電流固定,led 驅(qū)動(dòng)ic,可以以為L(zhǎng)ED地電壓Vo是固定地,所以從式(4)看出,只有電感值L固定,再固定關(guān)斷時(shí)光(1-D)T, Io也就是固定。

         

         

        2技巧地LED恒流控制(電子工程專輯)" src="/collection/20120815102630569.jpg">圖1:非隔離降壓恒流LED驅(qū)動(dòng)電源示用意

         

         

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